Random Access Memory

Random Access Memory merupakan penyimpan data yang dapat ditulis, dibaca ataupun dihapus dan kemampuan penyimpanannya bergantung dari ketersediaan sumber daya. Memori ini akan hilang jika sumber daya dimatikan, oleh karenanya disebut memori volatile. Memori Volatile dapat menggunakan flip-flop sebagai elemen penyimpanan, yang disebut memori statis, atau didasarkan pada pengisian kapasitor, yang disebut memori dinamis. Istilah statis dan dinamis berasal dari kenyataan bahwa sementara flip-flop selalu berada pada status terakhir kecuali power supply dihapus, kapasitor akan discharge perlahan-lahan dari waktu ke waktu sehingga perlu refresh secara teratur agar memori tidak akan hilang.

    

(a) 

(b)

Gambar 1. Rangkaian Dasar Memori (a) memori statis dari flip-flop MOSFET (b) memori dinamis dari kapasitor

Memori dinamis dapat dibuat dengan kerapatan yang jauh lebih tinggi daripada memori statis karena setiap bit dalam memori membutuhkan transistor lebih sedikit. Chip memori dinamis telah dapat dibangun di sirkuit penyegaran yang membutuhkan perawatan dari pengisian yang diperlukan untuk menjaga data yang tersimpan pada kapasitor, ini kadang-kadang dikenal sebagai memori pseudo-statis karena desainer sirkuit tidak perlu memberikan penyegaran dengan sirkuit eksternal.

Gambar 2 aransemen  baris dan kolom dari perangkat memori.

Dasar sel memori statis terdiri dari sepasang inverter lintas digabungkan, seperti sebuah RS flip-flop. Inverter dibangun dengan FET yang ketika dinyalakan, resistensinya relatif tinggi. Hal ini memungkinkan mereka untuk dipaksa ke dalam keadaan yang dibutuhkan oleh menarik output mereka ke atas atau ke bawah dengan sirkuit drive eksternal. Gambar 2 menunjukkan skema sederhana dari bagian dari memori statis. Ini adalah baris dan kolom array yang konvensional, multiplexer dengan driver baris memilih deretan sel dan kolom  memilih sel tertentu dari baris. Kolom multiplexer adalah diferensial, tidak seperti desain single ended digunakan dalam EPROM. Kolom multiplexer juga berfungsi sebagai driver, dan ketika dipilih untuk menulis ke bit output Q dan  menimpa output Q dari flip-flop untuk mendorong ke dalam keadaan yang diinginkan.

Gambar 3. Susunan memori static disederhanakan.

RAM dinamis memerlukan pengaturan akses yang berbeda untuk memungkinkan membaca, menulis dan menyegarkan dari kapasitor memori. Pada Gambar 4 baris baris-baris membaca dan menulis yang terpisah menghidupkan FET akses untuk setiap elemen, dan garis-bit membaca dan bit-write terpisah membawa data ke dan dari elemen. Dalam rangka untuk me-refresh memori kapasitor, setiap bit dibaca memiliki nilai bit ditulis ulang, pada interval yang lebih pendek daripada waktu pengosongan kapasitor.
RAM Dinamis sering meiliki logika deteksi kesalahan dan  pengecekan kesalahan. Dalam bentuk yang paling sederhana ini  sekurang-kurangnya adalah paritas yang dihitung ketika data ditulis dan diperiksa ketika dibaca. Ada juga sistem error correcting lebih rumit yang memungkinkan koreksi kesalahan single-bit dan deteksi kesalahan multi-bit.

Gambar 4. Susunan Memori Dinamis